Szczegóły

Tytuł artykułu

Low-temperature growth of InAs/GaSb superlattices on miscut GaAs substrates for mid-wave infrared detectors

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2023

Wolumin

31

Numer

special issue

Autorzy

Afiliacje

Martyniuk, Piotr : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland ; Benyahi, Djalal : Laboratoire des Systèmes Lasers, École Militaire Polytechnique, BP 17 Bordj El Bahri, 16111 Algiers, Algeria

Słowa kluczowe

molecular beam epitaxy ; superlattice ; X-ray diffraction ; III-V semiconductor

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

e144557

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

24.02.2023

Typ

Article

Identyfikator

DOI: 10.24425/opelre.2023.144557 ; ISSN 1896-3757

Indeksowanie w bazach

Abstracting and Indexing:
Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang

additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar
×