Szczegóły
Tytuł artykułu
Low-temperature growth of InAs/GaSb superlattices on miscut GaAs substrates for mid-wave infrared detectorsTytuł czasopisma
Opto-Electronics ReviewRocznik
2023Wolumin
31Numer
special issueAutorzy
Afiliacje
Martyniuk, Piotr : Institute of Applied Physics, Military University of Technology, gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warsaw, Poland ; Benyahi, Djalal : Laboratoire des Systèmes Lasers, École Militaire Polytechnique, BP 17 Bordj El Bahri, 16111 Algiers, AlgeriaSłowa kluczowe
molecular beam epitaxy ; superlattice ; X-ray diffraction ; III-V semiconductorWydział PAN
Nauki TechniczneZakres
e144557Wydawca
Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of TechnologyData
24.02.2023Typ
ArticleIdentyfikator
DOI: 10.24425/opelre.2023.144557 ; ISSN 1896-3757Indeksowanie w bazach
Abstracting and Indexing:Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang
additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar